内容摘要：据行业消息，三星电子和SK海力士原计划在其下一代高带宽内存HBM4）产品中采用混合键合Hybrid Bonding）技术，但目前已重新评估该策略。混合键合作为半导体先进封装的关键技术，业界普遍预测其最

据行业消息，星电三星电子和SK海力士原计划在其下一代高带宽内存（HBM4）产品中采用混合键合（Hybrid Bonding）技术，和SK海混合但目前已重新评估该策略。力士

混合键合作为半导体先进封装的据悉键合关键技术，业界普遍预测其最早将应用于16层堆叠的推迟HBM4E规格中。然而，应用鉴于行业放宽了对HBM堆叠厚度的封装限制标准，以及客户对超高堆叠层数需求的工艺推迟，这两家巨头决定暂时沿用传统的星电热压键合（Thermocompression Bonding）技术，并相应调整了技术路线图。和SK海混合

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