内容摘要：快科技7月6日讯杭州镓仁半导体近日正式宣布，全球首条兼容6英寸与8英寸的氧化镓同质外延量产线已全面投入生产。这一里程碑事件标志着我国在第四代超宽禁带半导体材料领域取得了规模化量产的重大突破。目前，首批

快科技7月6日讯杭州镓仁半导体近日正式宣布，中国至少全球首条兼容6英寸与8英寸的半导氧化镓同质外延量产线已全面投入生产。这一里程碑事件标志着我国在第四代超宽禁带半导体材料领域取得了规模化量产的体弯条英重大突破。

目前，道超首批6英寸（100）面氧化镓同质外延晶圆已同步交付给国内头部晶圆厂，车全寸氧用于器件试样的球首验证工作。

突破产能瓶颈，化镓解决小尺寸痛点

长期以来，量产领先全球氧化镓产业受制于2至4英寸的国外小尺寸产能瓶颈，海外厂商无法实现6英寸及以上尺寸的中国至少同质外延商业化供货。小尺寸晶圆不仅单批芯片产出率低，半导且制造成本高昂，体弯条英难以满足新能源、道超特高压等高端领域对大批量工业化制造的车全寸氧迫切需求。

镓仁半导体成功打通了从单晶生长、球首衬底加工到同质外延的全流程量产链路，彻底改变了这一局面。

核心技术优势：降本增效显著

在技术层面，该产线依托企业自主研发的铸造法单晶长晶技术与定制化MOCVD外延工艺，实现了多项关键指标的提升：

• 降低材料成本：自研铸造法能够稳定生长超厚氧化镓晶体，大幅减少了贵金属铱的消耗。
• 极致降本：配合超薄衬底加工技术，衬底单片成本降幅超过80%。
• 提升产出：单块晶体的出片量提升至传统工艺的3到4倍。

工艺数据显示，该产线产出的外延片厚度超过10微米，膜厚均匀性方差低于1%，晶体缺陷密度得到大幅优化。由于同质外延晶格与衬底完美匹配，能够充分释放氧化镓超高耐压、低导通损耗的材料优势。

目前，该产线是全球唯一具备6英寸氧化镓同质外延稳定供货能力的生产线。8英寸工艺也已同步完成技术验证，并预留了扩产空间，整体技术水平领先海外同类方案至少三年。此外，这条兼容产线可直接复用国内现有的成熟晶圆制造设备，无需新建专属产线，极大地降低了产业化门槛。

商业化落地，加速高端场景应用

氧化镓材料广泛适配于800V车载快充、光伏储能、高压电网、日盲紫外探测等高端应用场景。此次产线的正式投产，标志着氧化镓技术正式从实验室研发阶段迈入商业化批量供货阶段。

目前，多家海外企业及科研机构已陆续下单，部分合作客户已开始开展长期稳定的采购合作。