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东芝推出采用最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET
时间：2010-12-5 17:23:32 作者：焦点 来源：综合 查看： 评论：0内容摘要：6月30日，东芝电子元件及存储装置株式会社正式宣布，推出采用其最新一代制造工艺——U-MOS11-H技术打造的80V N沟道功率MOSFET新品，型号为TPM1R408RH。该系列产品专为AI数据中心6月30日，东芝代工东芝电子元件及存储装置株式会社正式宣布，推出推出采用其最新一代制造工艺——U-MOS11-H技术打造的采用80V N沟道功率MOSFET新品，型号为TPM1R408RH。最新
该系列产品专为AI数据中心及通信基站等关键工业设备的沟道功率开关电源应用而设计，旨在满足高性能与高能效需求。东芝代工目前，推出该产品已即日起开始量产出货。采用
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